参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | BSC750N10ND G |
说明 | 功率MOSFET 5.9mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 5000 |
最小包 | 5000 |
现货 | 10286 [库存更新时间:2024-05-13] |
通道数量 | 2Channel |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 13A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 62mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | 11nC,11nC |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散(Max) | 26W |
高度 | 1.27mm |
长度 | 5.9mm |
系列 | OptiMOS2 |
FET类型 | 2N-Channel |
宽度 | 5.15mm |
正向跨导 - 最小值 | 6.5S,6.5S |
下降时间 | 3ns,3ns |
上升时间 | 4ns,4ns |
典型关闭延迟时间 | 13ns,13ns |
典型接通延迟时间 | 9ns,9ns |
工作温度 | -55°C~150°C |